电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,...
采用自关断器件的单相交流调压电路研究.pdf
2、晶闸管是通过对门极的控制能使其导通而不能使其关断的器件,属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式,简称相控方式。晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现。 3、全控器件的特点是...
摘要:介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,...所以,MCT既有晶闸管良好的阻断和通态特性,又具有MOS场效应管输入阻抗高,驱动功率低和开关速度快的优点,同时克服了晶闸管速度慢,不能自关断和高压M
表列出了一些大电流可关断晶闸管的主要特性参数。 大电流可关断晶闸管主要特性参数
可关断晶闸管的极性及触发导通性能的检测可参考前面所述的方法进行,其关断能力采用双万用表法检查,如图所示,表1用来进行触发导通,表2用以产生负向触发信号。首先将表1的负表笔接A极,正表笔接K极,然后用导线短...
可关断晶闸管的许多叁数与普通晶闸管相似,如正反向阳极阻断电压、浪涌电流、触发电压、触发电流以及结温等。但也有一些参数与普通晶闸管不相同,如: ①IATM——最大可关断电流; ②VRGM——门极(控制极)反问峰值...
当对一根光纤施加轻微压力使其成V形时,用电池供电的手持式"光纤查找器...每当操作员插入另一根光纤时,装置都必须保持开启,而当操作员完成操作不再激活夹取滑块时,装置自动关断。这种设计没有空间去容纳一个庞大的
3CTG系列可关断晶闸管的主要特性参数见表。 3CTG系列可关断晶闸管主要特性参数
门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO)也是晶闸管(Thyristor)的一种派生器件,但可以通过在门极施加负脉冲使其关断,因而属于全控型器件;它和普通晶闸管一样,也是PNPN四层结构,外部引出三个极,...
另外,把检流放大器的VCC引脚连接到地,可以把放大器设置为关断模式,此时,器件的输入引脚不消耗任何静态电流,只有很小的漏电流。因此,高边检流放大器的VCC脚可作为关断引脚使用。 在典型的电池供电设备上,...
RCD Snubber是一种能耗式电压关断型缓冲器,分为抑制电压上升率模式和电压钳位模式两种类型,习惯上前者称为RCD Snubber电路,而后者则称为RCD Clamp电路。 为了分析方便,以下的分析或举例均针对反激电路拓扑...
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行业-电子政务-具有受控的电极关断状态位置的MEMS器件.zip
任何在其模拟电路设计中使用现代单通道运算放大器的人都熟悉 5 个有源器件引脚:2 个输入、2 个电源引脚和 1 个输出。...大多数情况下该附加引脚可发挥关断作用,或者整好相反,可作为器件的启用引脚。
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可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。可关断晶闸管GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GT
在启动或关断器件时,此类 IC 大多需要特定的顺序。例如,FPGA 通常需要分别为内核逻辑、I/O 和辅助电路上电。其内核通常包括 FPGA 的处理器和基本逻辑单元。该功率域具有低电压、高电流功率规范特征。由于电压极低...
本文主要介绍的是4kW单相交流调压器电路
而对于手提设备而言,当VDD作用于关断端时,MD8002D将会进入关断模式,此时的功耗极低。 MD8002D的应用电路简单,只需极少数外围器件;MD8002D输出不需要外接耦合电容或上举电容和缓冲网络; MD8002D采用SOP8封装,...
另外,把检流放大器的VCC引脚连接到地,可以把放大器设置为关断模式,此时,器件的输入引脚不消耗任何静态电流,只有很小的漏电流。因此,高边检流放大器的VCC脚可作为关断引脚使用。 在典型的电池供电设备上,...
另外,把检流放大器的VCC引脚连接到地,可以把放大器设置为关断模式,此时,器件的输入引脚不消耗任何静态电流,只有很小的漏电流。因此,高边检流放大器的VCC脚可作为关断引脚使用。 在典型的电池供电设备上,...
另外,把检流放大器的VCC引脚连接到地,可以把放大器设置为关断模式,此时,器件的输入引脚不消耗任何静态电流,只有很小的漏电流。因此,高边检流放大器的VCC脚可作为关断引脚使用。 在典型的电池供电设备上,...
来源:功率半导体哪些事儿IGBT关断过程的分析上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于各方面进行分析,而今天我们从电压电流对IGBT的关断...
另外,把检流放大器的VCC引脚连接到地,可以把放大器设置为关断模式,此时,器件的输入引脚不消耗任何静态电流,只有很小的漏电流。因此,高边检流放大器的VCC脚可作为关断引脚使用。 在典型的电池供电设备上,...
意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压,准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能,可用于各种开关拓扑控制碳化硅(SiC)或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。...
IGBT关断过程的分析上一篇,我们写了基于感性负载下,IGBT的开通过程,今天,我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析,而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。1前言...
在包括芯片组(用于移动系统和网络处理器)在内的低功率系统中,当器件处于关断状态时,IC可以处理1-10毫微安/微米(nA/micron)的泄漏。“对用于手机、PDA或其他小型手持式电池供电系统的超低功率芯片而言,这种新型65...
分析了单声光器件、超声场相互平行和正交两声光Q开关器件衍射损耗,根据声光互...Nd:YAG激光器的实验结果表明,超声场相互正交两声光Q开关的关断损耗比单声光器件提高近3倍、比超声场相互平行两声光Q开关器件提高1倍。