DRAM和SRAM各有特点,DRAM...但也由于其核心元件为电容的缘故,需要去定期刷新电容的电荷量,这种定期刷新的操作会让存储以外的控制电路等变得复杂,同时刷新操作也会影响数据读写的速度,所以DRAM的读写速度相对较慢。
DRAM和SRAM各有特点,DRAM...但也由于其核心元件为电容的缘故,需要去定期刷新电容的电荷量,这种定期刷新的操作会让存储以外的控制电路等变得复杂,同时刷新操作也会影响数据读写的速度,所以DRAM的读写速度相对较慢。
非易失性存储芯片的两点应用注意.pdf
RAM、ROM、DRAM、SRAM、Flash、EMMC、DDR、EEPROM 傻傻分不清?简单梳理,迅速区分!
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本文首先对目前市场上各种非易失性存储器进行了比较,其次对NVSRAM的工作原理和工作方式进行详细的...目前非易失性存储实现方式主要有如下三种:Micro Power SRAM+后备电池+控制器、电池后备供电SRAM(BBSRAM, Battery B